三星演示3nm工艺 纳米片构造晶体管兼容FinFET设计

　　【手机中国新闻点】三星和台积电都开启了3nm制程工艺的研发，如今前者已经开始对外展示了一些3nm工艺的技术内容。三星在IEEE 国际固态电路会议上，向与会者分享了3nm GAE MBCEFET芯片的制造细节。

　　据介绍，三星GAAFET晶体管在构造上有两种形态，是目前FinFET的升级版。一是传统的GAAFET工艺，采用三层纳米线来构造晶体管，栅极比较薄；二是三星提出的MBCFET工艺，使用纳米片构造晶体管，完全兼容FinFET设计，不需要任何新的制造工具，同时可通过GAA结构减轻短沟道效应，还通过扩展通道面积来提高性能。

　　三星曾在2019年介绍过GAE工艺的原理，而且当时还宣布未来10年将会在包括代工业务在内的逻辑芯片业务上投资133兆韩元以超越台积电，成为全球第一大芯片代工厂。另外，GAE工艺相比7LPP工艺，可实现30%的性能提升，功耗降低50%，晶体管密度提升80%。

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