【手机中国新闻】2月8日,网络上出现一些有关于小米澎湃P1芯片的传言,对此南芯半导体官方也在当天进行回应。
官方表示,小米澎湃P1芯片为小米自研设计、南芯半导体代工(内部代号SC8561)。这款芯片具备超高压4:1充电架构,实现了120W单电芯充电,支持1:1、2:1和4:1的转换模式,所有模式均可双向导通,可实现有线120W、无线50W、无线反充等多种充电功能。
同时官方还在声明中称,南芯半导体此前曾在2021年9月推出代号为SC8571的芯片。该芯片为超高压4:2充电架构,同样可以实现120W双电芯充电。小米自研的澎湃P1芯片与南芯SC8571在拓扑结构上完全不同,是不同设计、不同功能、不同定位的两颗充电芯片。
2021年12月28日,小米曾推出首款自研充电芯片——澎湃P1,首次实现120W单电芯充电方案,填补了120W单电芯快充行业空白。目前,该芯片已经出现在最新一代旗舰小米12 Pro中。
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