【CNMO新闻】台积电和三星围绕芯片制程的竞争已经进入关键阶段，但台积电方面率先传来了好消息。据台媒报道，近日台积电已在3nm制程工艺上取得重大突破，将有望年内开始量产。
据此前消息，台积电和三星在3nm制程研发时均遇到了挫折，但台积电率先突破了这一难关。据悉，台积电决定将在今年率先量产第二版3nm制程N3B，初步定于今年 8 月于新竹12厂研发中心第八期工厂及南科18厂P5厂同步投片，并将继续采用鳍式场效晶体管（FinFET）架构。
台积电芯片（图片来自于互联网）
根据预测，N3B投片后初期产量为每月 4 万至 5 万片之间。同时，在N3B量产后，预计在2023年初将会有技术更先进的N3E版本投产，预计性能将会有进一步的提升。
3nm制程工艺的量产意味着芯片生产技术更进一步，后续各家芯片厂商将根据新的3nm制程推出怎样的芯片值得我们期待。
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