【手机中国新闻】据外媒报道，三星宣布，在位于韩国华城的工厂开始了3nm半导体芯片的初期生产。与使用FinFET的上一代芯片不同，三星使用了GAA (Gate All Around)晶体管架构，大大提高了功率。
半导体芯片
三星电子的3nm芯片采用了MBCFET (Multi-Bridge-Channel FET) GAA架构，通过降低电源电压和增强驱动电流能力，能有效提高功率。并且，三星还在高性能智能手机处理器的半导体芯片中也使用过纳米片晶体管。与纳米线技术相比，拥有更宽通道的纳米片具有更高的性能和效率。三星电子的客户可以通过调整纳米片的宽度，来定制自己需要的功耗和性能指标。
三星工厂外部
为了帮助芯片客户和合作伙伴设计更好的芯片，并验证他们的想法需求，三星代工提供了一个稳定的设计环境。通过SAFE(三星先进代工生态系统)合作伙伴，如Ansys、Cadence、西门子和Synopsys，客户可以减少芯片设计、验证和批准过程所需的时间，并提高产品的可靠性。
三星电子总裁兼代工负责人Siyoung Choi博士表示:“三星电子将把下一代技术应用于制造业方面，并继续展现出领先地位。我们将在竞争性技术开发方面继续积极创新，建立有助于加快技术成熟度的流程。”
版权所有，未经许可不得转载
加入收藏
